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消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合,进一步降低层间间隙

发表于:2024-11-15 00:00:02 浏览:56次 发布者: IT之家

IT之家 11 月 14 日消息,据韩媒 ETNews 报道,三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合(Fluxless Bonding)技术抱有兴趣,正在进行技术准备。

SK 海力士此前已宣布了 16 层堆叠 HBM3E,而从整体来看 HBM 内存将于 HBM4 开始正式转向 16 层堆叠。由于无凸块的混合键合技术尚不成熟,传统有凸块方案预计仍将是 HBM4 16Hi 的主流键合技术。

更多的 DRAM Die 层数意味着 HBM4 16Hi 需要进一步地压缩层间间隙,以保证整体堆栈高度维持在 775 μm(IT之家注:即 0.775 mm)的限制内。

在这一背景下,三大内存原厂均注意到了现有 HBM 键合工艺使用的助焊剂:助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层,保证键合过程中机械和电气连接不会受到氧化层影响;但助焊剂的残余也会扩大各 Die 之间的间隙,提升整体堆栈高度。

消息人士表示,三大 HBM 内存原厂对无助焊剂键合的准备程度不同:美光在与合作伙伴测试工艺方面最为积极、SK 海力士考虑导入、三星电子也对此密切关注。

  • 《消息称 JEDEC 有望放宽 HBM4 高度限制,内存厂商无须被迫转向混合键合》

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