诸如微小颗粒、金属碎片、水印等表面污染物和Si/SiO2的损坏，将会对新一代器件的产量带来非常大的危害和冲击。ITRS对晶圆上面的表面污染物提出了非常严格的要求，这同样也对表面处理技术提出了新的挑战。为了能够满足ITRS所提出的要求和克服其所提出的新挑战，需要采用新的工艺流程和技术。 关于污染，我们主要关心有机污染、颗粒污染以及金属离子污染。经过硫酸双氧水混合试剂（SPM）或硫酸臭氧混合试剂（SOM）处理，大部分的有机物都能够被去除。依靠一号标准清洗试剂（SC1）能够去除颗粒，而二号标准清洗试剂（SC2）可以去除金属离子。这些都是常用手段，即便在一些情况下存在金属离子与颗粒的交叉情况，仍然能够依靠一号标准清洗试剂 湿式清洗与润湿制程的超纯水用量约占半导体厂超纯水用量的60％，如果能利用干式技术取代湿式清洗制程，则可因超纯水用量减低节省许多经费，由于上述种种原因，为适合于未来深次微米制程，且减低超纯水及药品的用量，半导体工业的确急须研发一种新式的晶圆清洗替代技术，以因应下一世代更精细的制程需求，也因此促使干式清洗法渐受到重视 超纯水系统系利用离子交换树脂设备来纯化水质提供晶圆(wafer)生产洗净用水，因离子交换树脂运转到达一段时间后需使用化学药剂及大量洗净水再生。建立回收水处理技术来降低晶圆生产所需消耗的水量，解决超纯水系统再生废水量及水资源缺乏的问题，一般晶圆厂超纯水系统再生废水多与晶圆生产的制程废水经处理系统处理合格后排放至园区污水厂，超纯水系统再生废水回收设备应用于晶圆厂超纯水系统再生废水回收设备，减少超纯水系统再生废水排放量，每天平均回收200吨以上废水经处理再利用以减少其排放量。系统设备已有效地回收再利用以解决现今晶圆厂超纯水系统产生大量再生废水的问题，符合减废回收的环保政策。